MOS管的核心参数解析（导通电阻与栅极电荷）

功率管的最主要的应用是控制电流的通断，即在一定的电压条件下对流经器件的电流进行开关控制。首先，在可以承受的击穿电压的前提下（即器件的工作电压平台）， 器件导通电阻越低，其导通损耗就越低。其次，器件在开关状态间切换时，栅极电荷越 小，器件的开关速度就越快，其动态损耗就越低。

图：MOS管结构

对于功率MOSFET来说，导通电阻与栅极电荷互为权衡（trade-off）关系，因为对于同一个器件结构来说，可以通过并联更多重复单元来降低导通电阻，但会导致栅极电荷相应地增加；反之减少器件并联的重复单元数，可以使得器件的栅极电荷变小，但其导通电阻会增大。因此，器件的导通电阻与栅极电荷的乘积优值（即品质因数，Figure of Merit，“FOM”）可以最直观地反映 MOSFET产品在同等电压平台下的综合性能。

图：MOS管外形

MOSFET产品的核心指标的比较基础以及相互之间存在的制约关系如下： 

1）高压MOSFET产品性能的关键指标之一是导通电阻Ron与栅极电荷Qg 的乘积优值FOM。相同导通电阻下，栅极电荷越小则优值越低，器件的动态损耗越小，整体性能越强。在电压为限定条件时，功率MOSFET的导通电阻与栅极电荷的乘积越小， 该器件性能更优，技术更加先进。

2）高压MOSFET产品性能的另外两个关键指标是导通电阻Ron以及耐压 BV。相同耐压下，导通电阻越小，器件的导通损耗越小，器件性能越强。同时，导通电阻可以通过增大芯片面积来实现，所以该指标需在同一封装类型下进行对比以便限定芯片的面积的上限。相同的封装下导通电阻Ron 更小的产品才代表更先进的技术水平。