一文看懂内存芯片的发展史
6881958年9月12日,来自德州仪器公司的杰克·基尔比(Jack Kilby),成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起,制作了世界上第一块锗集成电路。 次年7月,美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯(Robert Nor...
查看全文产品性能 | |
使用寿命 | ≥ 10000 次 |
插拔力 | < 100N |
额定电流 | 16A/32A 单相/三相 |
额定电压 | 250V/440V AC |
接触阻抗 | 0.5mΩ Max |
绝缘电阻 | ≥5MΩ(DC500V) |
防护等级 | IP55 ( 头座配合 ) |
工作环境温度 | -30°C 至 +50°C |
外壳 | 热塑性塑料 |
接触件 | 铜合金 , 表面镀银或镀镍 |
胶芯 | 热塑性塑料 |
密封件 | 橡胶 |
阻燃等级 | UL94V0 |
1958年9月12日,来自德州仪器公司的杰克·基尔比(Jack Kilby),成功地将包括锗晶体管在内的五个元器件集成在一起,制作了世界上第一块锗集成电路。 次年7月,美国仙童半导体公司的罗伯特·诺伊斯(Robert Nor...
查看全文近几年,汽车智能化、网联化、电动化迅速发展,汽车对于芯片的需求无论在数量上还是性能上都快速增长。当下,搭载好的芯片,汽车才会更有竞争力,整车厂对汽车芯片的关注也达到了空前的高度。 面对日益上...
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